HomeAmbiente e ScienzePoliBa, anche Carpentieri nel team di ricerca sulle nanotecnologie

PoliBa, anche Carpentieri nel team di ricerca sulle nanotecnologie

Un articolo pubblicato sulla prestigiosa rivista “Nature Communications” dal team del professor Fert su Innovativi materiali antiferromagnetici per la realizzazione di dispositivi di memoria ultraveloci. Alla ricerca ha partecipato anche il prof. Mario Carpentieri del Politecnico di Bari

C’è anche il Politecnico di Bari con il professor Mario Carpentieri, nel team internazionale di ricerca che vede come coautore e supervisore il premio Nobel per la Fisica 2007 professor Albert Fert che ha condotto lo studio su Innovativi materiali antiferromagnetici per la realizzazione di dispositivi di memoria ultraveloci.

Il settore delle nanotecnologie, dell’ingegneria dell’informazione con ricadute nella medicina, potrebbero trovare nuovi sviluppi applicativi. Le indicazioni sono state scritte a più mani in un articolo pubblicato il 27 luglio scorso sulla autorevole rivista, “Nature Communications”.

La ricerca, dal titolo, Field-free spin-orbit torque-induced switching of perpendicular magnetization in a ferrimagnetic layer with a vertical composition gradient  è stata pubblicata da un team   figura anche il del Politecnico di Bari.

La ricerca si rivolge al settore delle nanotecnologie e dell’ingegneria dell’informazione. In particolare, ha riguardato lo studio teorico e la dimostrazione sperimentale del possibile utilizzo di innovativi materiali antiferromagnetici (AFM) per la realizzazione di dispositivi di memoria ultraveloci, ad alta densità di storage e ad alta efficienza energetica, che li rendono candidati eccellenti come memorie magnetiche ad accesso casuale su scala nanometrica. Attraverso tale studio è stato dimostrato che questi tipi di materiali permettono il funzionamento di tali dispositivi di memoria senza dover avere la necessità di applicare campi magnetici esterni, caratteristica che rende tali nuovi dispositivi spintronici facilmente integrabili nell’elettronica convenzionale. Tali dispositivi sono anche importanti per applicazioni emergenti nell’intelligenza artificiale e nel calcolo non convenzionale. Previste ricadute nel campo biomedicale in quanto i materiali sviluppati per la memoria possono essere anche utilizzati per lo sviluppo di sensori biomedici.

Il prof. Mario Carpentieri, ordinario di Elettrotecnica, afferisce al Dipartimento di Ingegneria Elettrica e dell’Informazione del Poliba. Il suo contributo alla ricerca, pubblicata su “Nature Communications” si è sviluppato presso il laboratorio di Spintronica del Politecnico di Bari dove ha sede un server di calcolo parallelo per la progettazione e la caratterizzazione di materiali e dispositivi nanometrici.

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Redazione
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